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- 发布日期:2024-03-27 07:58 点击次数:102
据韩国媒体报道,11月24日 Business Korea 据报道,市场内部人士透露,随着中国大陆对内存芯片行业的支持,过去几年取得了显著进展。在NAND闪存芯片方面,与三星、SK海力士等世界领先企业的技术差距缩短到两年。
业内人士指出:“虽然DRAM仍保持技术差距超过5年,但由于NAND技术壁垒较低,中国企业在大力支持下迅速赶上,并不断缩小差距。虽然中国企业的NAND产品在市场竞争力方面仍然不足,但它显然加快了追赶速度。”
特别值得一提的是长江存储。2022年闪存峰会(FMS)上,公司正式发布了基于晶栈3.0的基础(Xtacking 3.0)第四代3D架构 TLC 名为X3-9070的NAND闪存芯片。
虽然长江存储宣布从176层批量生产到232层,外界对此提出了很多质疑,但该公司在不到一年的时间里成功批量生产了X3-9070。CC7000除了用于致态TiPlus7100系列SSD外,还用于海康威视 2TB SSD是第一个进入零售市场的200 层3D NAND闪存解决方案领先于三星、美光、SK海力士等厂商。
报告还指出,随着半导体电路的小型化接近极限,中国企业正在抓住先进的包装(Efficient packaging)这个机会进一步缩小了技术差距。在半导体行业,先进的包装主要包装多个芯片,以提高性能,被认为是克服挑战的关键。
根据IT之家援引市场研究公司IDC的数据,中国大陆在半导体包装领域占据了第二大市场份额。去年,长电科技、通富微电和华天科技进入世界前十大半导体包装(OSAT)韩国没有一家公司出现在名单上。这表明中国大陆在半导体包装领域取得了重要进展。
综上所述,中国大陆在内存行业取得了显著进展。中国正在迅速赶上世界领先企业的技术水平,通过增加对内存行业的支持,鼓励当地企业创新。同时,先进包装技术的发展也将进一步推动中国大陆在半导体领域的进步。
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