据韩国媒体报道，11月24日 Business Korea 据报道，市场内部人士透露，随着中国大陆对内存芯片行业的支持，过去几年取得了显著进展。在NAND闪存芯片方面，与三星、SK海力士等世界领先企业的技术差距缩短到两年。

业内人士指出：“虽然DRAM仍保持技术差距超过5年，但由于NAND技术壁垒较低，中国企业在大力支持下迅速赶上，并不断缩小差距。虽然中国企业的NAND产品在市场竞争力方面仍然不足，但它显然加快了追赶速度。”

特别值得一提的是长江存储。2022年闪存峰会（FMS）上，公司正式发布了基于晶栈3.0的基础（Xtacking 3.0)第四代3D架构 TLC 名为X3-9070的NAND闪存芯片。

虽然长江存储宣布从176层批量生产到232层，外界对此提出了很多质疑，但该公司在不到一年的时间里成功批量生产了X3-9070。CC7000除了用于致态TiPlus7100系列SSD外， 亿配芯城 还用于海康威视 2TB SSD是第一个进入零售市场的200 层3D NAND闪存解决方案领先于三星、美光、SK海力士等厂商。

报告还指出，随着半导体电路的小型化接近极限，中国企业正在抓住先进的包装（Efficient packaging）这个机会进一步缩小了技术差距。在半导体行业，先进的包装主要包装多个芯片，以提高性能，被认为是克服挑战的关键。

根据IT之家援引市场研究公司IDC的数据，中国大陆在半导体包装领域占据了第二大市场份额。去年，长电科技、通富微电和华天科技进入世界前十大半导体包装（OSAT）韩国没有一家公司出现在名单上。这表明中国大陆在半导体包装领域取得了重要进展。

综上所述，中国大陆在内存行业取得了显著进展。中国正在迅速赶上世界领先企业的技术水平，通过增加对内存行业的支持，鼓励当地企业创新。同时，先进包装技术的发展也将进一步推动中国大陆在半导体领域的进步。

• 芯片
• 中国
• 存储
• Nand
• 取的