一、我国半导体器件型号规格命名方法

    半导体器件型号规格由五一部分（场效应器件、半导体材料独特器件、钢丝网骨架、PIN型管、激光器器件的型号规格取名只能第三、四、五一部分）构成。五个一部分实际意义以下：

    第一部分：用数字表达半导体器件合理电级数量。2-二极管、3-三极管

    第二一部分：用拼音字母英文字母表达半导体器件的原材料和旋光性。表达二极管时：A-N型锗原材料、B-P型锗原材料、C-N型光伏材料、D-P型光伏材料。表达三极管时：A-PNP型锗原材料、B-NPN型锗原材料、C-PNP型光伏材料、D-NPN型光伏材料。

    第三一部分：用拼音字母英文字母表达半导体器件的内型。P-一般管、V-微波加热管、W-稳压极管、C-参数管、Z-整流管、L-整流器堆、S-隧道施工管、N-减振管、U-光学器件、K-开关管、X-高频小整流管(F>3MHz,Pc>1W)、G-高频率小整流管（f<3MHz,Pc>1W）、D-高频功率大的管（f>3MHz,Pc<1W）、A-高频率功率大的管（f<3MHz,Pc<1W）、T-半导体材料可控硅（可控性镇流器）、Y-体效用器件、B-山崩管、J-阶跃修复管、CS-场效应管、BT-半导体材料独特器件、FH-钢丝网骨架、PIN-PIN型管、JG-激光器器件。

    第四一部分：用数字表达编号

    第五一部分：用拼音字母英文字母表达规格型号号

    比如：三dG18表达NPN型光伏材料高频率三极管

    二、日本国半导体材料公司分立器件型号规格命名方法

    日本国生产制造的半导体材料公司分立器件，由五至七一部分构成。一般仅用到前五个一部分，其各一部分的标记实际意义以下：

    第一部分：用数字表达器件合理电级数量或种类。0-光学（即感光）二极管三极管及所述器件的组成管、1-二极管、2三极或具备2个pn结的别的器件、3-具备四个合理电级或具备三个pn结的别的器件、┄┄以此类推。

    第二一部分：日本电子工业协会JEIA申请注册标示。S-表达已在日本电子工业协会JEIA申请注册备案的半导体材料公司分立器件。

    第三一部分：用英文字母表达器件应用原材料旋光性和种类。A-PNP型高频率管、B-PNP型高频管、C-NPN型高频率管、D-NPN型高频管、F-P操纵极晶闸管、G-N操纵极晶闸管、H-N基极单结三极管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。

    第四一部分：用数字表达在日本电子工业协会JEIA备案的序号。俩位之上的整数金额-从“11”刚开始，表达在日本电子工业协会JEIA备案的序号；不一样企业的特性同样的器件能够应用同一序号；数字越大，越发最近商品。

    第五一部分：用英文字母表达同一型号规格的改进版商品标示。A、B、C、D、E、F表达这一器件是原形号商品的改善商品。

    三、英国半导体材料公司分立器件型号规格命名方法

    英国三极管或别的半导体器件的命名法较错乱。英国电子器件工业协会半导体材料公司分立器件命名方法以下：

    第一部分：用标记表达器件主要用途的种类。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-航宇级、（无）-非军用品。

    第二一部分：用数字表达pn结数量。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

    第三一部分：英国电子器件工业协会（EIA）申请注册标示。N-该器件已在国外电子器件工业协会（EIA）申请注册备案。

    第四一部分：英国电子器件工业协会备案序号。多名数字-该器件在国外电子器件工业协会备案的序号。

    第五一部分：用英文字母表达器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号规格器件的不一样档别。如：JAN2N3251A表达PNP硅高频率小输出功率电源开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA申请注册标示、3251-EIA备案序号、A-2N3251A档。

    四、国际电子委员会半导体器件型号规格命名方法

    法国、荷兰、西班牙、西班牙、丹麦等欧洲各国及其意大利、爱沙尼亚、南斯拉夫、芬兰等欧洲国家，大多数选用国际电子委员会半导体材料公司分立器件型号规格命名方法。这类命名方法由四个基础一部分构成，各一部分的标记及实际意义以下：

    第一部分：用英文字母表达器件应用的原材料。A-器件应用原材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件应用原材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C-器件应用原材料的Eg<1.3eV如砷化镓、D-器件应用原材料的Eg>0.6eV如锑化铟、E-器件应用高分子材料及光电池应用的原材料

    第二一部分：用英文字母表达器件的种类及关键特点。A-检波电源开关混频二极管、B-变容二极管、C-高频小输出功率三极管、D-高频功率大的三极管、E-隧道施工二极管、F-高频率小输出功率三极管、G-复合型器件以及他器件、H-磁敏二极管、K-对外开放磁路中的霍尔元件、L-高频率功率大的三极管、M-封闭式磁路中的霍尔元件、P-感光器件、Q-发亮器件、R-小输出功率可控硅、S-小输出功率开关管、T-功率大的可控硅、U-功率大的开关管、X-增长二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

    第三一部分：用数字或英文字母加数字表达登记号。三位数字-意味着通用性半导体器件的备案编号、一个英文字母加二位数字-表达专用型半导体器件的备案编号。

    第四一部分：用英文字母对同一种类号器件开展分档。A、B、C、D、E┄┄-表达同一型号规格的器件按某一主要参数开展分档的标示。

    除四个基础一部分外，有时候还加后缀，以差别特点或进一步归类。普遍后缀以下：

    1、稳压二极管型号规格的后缀。其后缀的第一部分是一个英文字母， 芯片采购平台表达平稳工作电压值的允许偏差范畴，英文字母A、B、C、D、E各自表达允许偏差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二一部分是数字，表达允差平稳工作电压的整数金额标值；后缀的第三一部分是英文字母V，意味着小数位，英文字母V以后的数字为稳压极管允差平稳工作电压的小标值。

    2、整流二极管后缀：整流二极管后缀是数字，表达器件的较大反方向最高值抗压值，企业是伏特。

    3、晶闸管型号后缀：晶闸管型号的后缀也是数字，一般标明较大反方向最高值抗压值和较大反方向关闭工作电压中标值较小的哪个工作电压值。

    如：BDX51-表达NPN硅高频功率大的三极管，AF239S-表达PNP锗高频率小输出功率三极管。

• 元器件
• 电子
• 基础知识
• 命名