资料图（根源：SMIC）

头年，中芯国际表示将在四时度启封基于 14nm FinFET 制程的量产芯片。并且，该企业也在卖力开支子弟非同小可节点（N+1），宣示兼具可拉平 7nm 工艺的一些表征。与中芯国际自各儿的 14nm 制程对照，N+1 可在属性升迁 20% 的再者下跌 57% 的功耗、并将逻辑面积消损了 63% 。

但事实上，中芯国际表示 N+1 并不同等 7nm 技能。只管新工艺可让 SoC 变得更小、更缩衣节食，但 N+1 牵动的通性调升，仍鞭长莫及与 7nm 竞品毕其功于一役棋逢对手。

有鉴于此，中芯国际将 N+1 铁定于更具成本吸引力的芯片制作招术。该商厦讲演人称：“N+1 的对象是低成本施用，与 7nm 对照，高云半导体gowin高云FPGA芯片 其优势在 10% 左右”。

此外，中芯国际的 N+1 工艺绝非采用极紫外光刻（EUVL），故此该晶圆厂无庸从 ASML 买入别样昂贵的设施。

这并不辨证该小卖部远非考虑过 EUV，其确有获取 EUV 步进扫视体系，但有报导称因美方施压而一无安设，致使中芯国际只得等到 N+2 工艺时应用上 EUV 。

一经一切顺利，中芯国际以苦为乐在 2020 年 4 季度造端 N+1 制程的风险试产，并于 2021 或 2022 年转入大批量生产。

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