高通汽车芯片研发中心落户成都

据3月29日消息，2023年成都市招商引资重大项目集中签约仪式今日举行，高通汽车芯片研发中心已落户成都，以推动自动驾驶、智能驾驶舱等领域的研发。 投资成都消息显示，本次活动共签约重大项目和顶尖人才团队33个，总投资1042.3亿元，包括高通汽车芯片研发中心、青岛创新启智工业机器人创新中心和高技能人才培养基地等项目。 据介绍，高通成都研发中心项目是高通在四川的首个研发机构。将与高通汽车产业链上下游合作，共同推动自动驾驶和智能驾驶舱产品的研发。据介绍，该项目可进一步改善成都电子信息产业生态，助力打

国资委：将继续加大集成电路芯片设计、封测EDA等产业政策支持！

4月6日据新闻中心报道，中国国资委党委书记、主任张玉卓视察中国电子信息产业集团旗下华大九天，并说集成电路产业是引领未来的产业，将进一步精准施策，在人才、资金等方面扩大政策支持力道。 6日A股半导体板块大涨，指数大涨3.2% 。 据新闻中心报道，张玉卓周四表示，多年来华大九天以坚定不移的恒心和毅力，在芯片设计、制造、封装、测试全流程电子设计自动化（EDA）工具方面进行战略布局，强化技术研发，逐渐形成产品线完整、综合科技实力较强的龙头企业，值得充分肯定。EDA被称为「芯片之母」。 张玉卓表示：国资

我国禾赛科技再遭美国激光雷达公司起诉称其侵犯专利

4月14日，市场多家媒体报道，总部位于旧金山的激光雷达传感器供应商Ouster于当地时间周二在美国特拉华州联邦法院和美国国际贸易委员会起诉中国竞争对手禾赛科技（HSAI.US）侵犯专利。 据报道，Ouster首席执行官安格斯·帕卡拉在一份声明中表示，“在和赛科技寻求复制公司的数字化方法的过程中，我们将继续大力保护我们的知识产权，直到侵权产品被禁止为止。” Ouster在起诉书中表示，该公司率先将激光雷达从“一个拥有数千个组件的模拟设备”转变为一个简单的数字设备。Ouster指控Hesai Te

我国世界首台兆瓦级高温超导感应加热装置启动投产，能效转化率提升一倍

4月23日据央视新闻报道，联创光电宣布我国世界首台兆瓦级高温超导感应加热装置在哈尔滨东轻公司启动投产，能效转化率提升一倍。该设备采用主辅电机分离式传动转矩自匹配技术，能够快速高效地加热大尺寸金属工件，并解决直流磁场中被旋转加热时转矩超调问题。试运行一年来，该设备在提升铝材加热效率、加热速度和温度均匀性方面表现优异，电单耗同比降低53%，仅需原加热时间的1/54就可将铝材加热至所需温度。 高温超导感应加热装置利用了超导体在低温下可实现稳定的零电阻超导态的特性，不仅可以用于铝、铜等非铁磁性有色金属

50亿欧元，英飞凌最大半导体晶圆厂要开始动工了！

5月3日消息，英飞凌将在德国德累斯顿的新半导体晶圆厂破土动工，这个举动被视为欧洲半导体行业扩张的重要里程碑。英飞凌计划将其生产能力扩大三分之一，以满足欧洲对半导体日益增长的需求。 除了德国总理奥拉夫·舒尔茨和欧盟委员会主席乌尔苏拉·冯·德莱恩之外，许多高级政客也将出席德累斯顿新半导体工厂的奠基仪式。这凸显了该制造设施对欧洲半导体行业的重要性，因为它将成为同类设施中第一个根据欧洲芯片法案获得资助的设施。这一揽子措施的目的是将欧洲占全球半导体产量的份额从目前的不到10%提高到20%。为此，英飞凌有

中兴投资1亿成立集成电路半导体设计公司

5月17日消息，中兴全资子公司成都克瑞斯兴芯半导体科技有限公司于5月10日正式成立，是一家专注于集成电路设计、销售和服务的公司。法定代表人为韩晟晨，注册资本为1亿元。该公司的经营范围包括集成电路芯片及产品的设计、开发和销售、计算机系统服务、软件开发、信息系统集成服务、人工智能应用软件开发以及物联网技术研发等。 中兴早在1996年就开始了IC半导体设计方面的业务，从事芯片研发。2003年，深圳市中兴微电子技术有限公司成立，专门从事芯片研发设计。2005年，中兴微电子推出了首款量产WCDMA基带处

日本MCU单片机供应商巨头宣布扩产

5月26日消息，据日经新闻上周报导，瑞萨计划砸下约480亿日圆于日本国内3座工厂内导入制造设备，目标在2026年结束前将MCU产能较现行提高10%，主因新能源电动车EV普及、带动MCU需求急增。 电动车（EV）普及、带动微控制器（MCU）需求急增，日本半导体大厂瑞萨电子（Renesas Electronics）传出将砸约480 亿日圆，将MCU 产能扩增10%。 据报导，瑞萨计划在2025年2月之前在旗下核心据点那珂工厂内导入40纳米（nm）MCU制造设备、2025年3月之前在川尻工厂内导入1

全球领先的2nm芯片制程工艺，台积电已经开始做好前期试产准备

6月6日消息，据台湾地区经济日报报道，台积电近日启动了其下世代制程技术的 2nm芯片制程试产前期准备工作，将搭配导入最先进的 AI 系统来节能减碳并加速试产效率。预计苹果、英伟达等大厂都会是台积电 2nm 芯片制程量产后首批客户，并扩大与三星、英特尔等竞争对手的差距。 台积电表示不评论相关传闻，但强调其 2nm 技术研发进展顺利，预计在 2025 年进行量产。 消息人士透露，台积电因应 2nm芯片制程试产前置前期准备工作，内部已经开始调度工程师人力到竹科研发厂区做准备，预计召集千人以上的研发团

SEMI：2026年300毫米晶圆设备市场有望达1188亿美元

6月15日消息，据SEMI发布的最新报告，继2023年下降之后，全球用于前端设施的300毫米（12英寸）晶圆设备支出明年预计将开始连续增长，到2026年达到1188亿美元的历史新高。SEMI总裁兼CEO Ajit Manocha表示，预计的设备支出增长浪潮凸显了对半导体的强劲长期需求，代工和内存行业将在这次扩张中占据突出地位，表明广泛的终端市场和应用对芯片的需求。 SEMI预计，今年全球300毫米晶圆厂设备支出下降18%至740亿美元，2024年将增长12%至820亿美元，在2025年增长24

半导体分析师表示：英特尔将在两年内出售50%芯片制造部门股权

6月26日消息，英特尔宣布内部重组，负责芯片制造与代工的IFS部门将独立运营，英特尔希望其制造部门在明年成为全球第二大晶圆代工厂。知名半导体分析师陆行之表示，英特尔终于宣布要分割扶不起的阿斗，而尽快止损。 陆行之认为，英特尔拆分IFS后，可以节约30亿美元成本，增加6%的利润率，到2025年有望节约80~100亿美元。英特尔对外部代工厂下单量将多于IFS部门抢单量。英特尔本季度营业利润率为33%，第3季度有望增长到40%，而IFS部门的利润率为-28%。 陆行之强调，英特尔IFS部门已失去了价

台积电考虑在日建设先进制程工厂，推动半导体产业发展

7月4日消息，台积电昨天在日本横滨举行了一场新闻发布会，主题为“日本业务状况”。在发布会上，台积电业务发展高级副总裁张凯文表示，台积电目前正在日本和美国建厂，其中日本熊本工厂将重点推出12nm/16nm和22nm/28nm生产线，推动半导体产业发展。 当被问及是否计划在日本建设更先进制程的工厂时，张凯文表示：“我不排除这种可能性。”这表明台积电对于在日本开展更先进的制程生产持开放态度。此外，针对Rapidus宣布将量产2nm芯片，张凯文表示：“我相信台积电的2nm工艺能够为业界最顶尖的芯片带来

超40亿工厂竣工，被动元器件厂商太阳诱电常州一期

7月17日消息，被动元器件厂商，太阳诱电（常州）电子有限公司12日举行一期总投资6亿美元，建设面积约 25万平方米，包含2栋生产车间、1栋办公楼及部分配套用房竣工仪式。 太阳诱电株式会社2019年与武进国家高新区结缘，落户园区的新基地项目总投资15亿美元，注册资本5亿美元。 项目分三期建设，其中一期总投资6亿美元，建设面积约 25万平方米，包含2栋生产车间、1栋办公楼及部分配套用房。新基地将生产集团主力产品多层陶瓷电容器。 太阳诱电（常州）电子有限公司总经理秋本欣男介绍，常州工厂是太阳诱电集团