电子元器件基础知识-命名元器件篇

一、我国半导体器件型号规格命名方法 半导体器件型号规格由五一部分（场效应器件、半导体材料独特器件、钢丝网骨架、PIN型管、激光器器件的型号规格取名只能第三、四、五一部分）构成。五个一部分实际意义以下： 第一部分：用数字表达半导体器件合理电级数量。2-二极管、3-三极管 第二一部分：用拼音字母英文字母表达半导体器件的原材料和旋光性。表达二极管时：A-N型锗原材料、B-P型锗原材料、C-N型光伏材料、D-P型光伏材料。表达三极管时：A-PNP型锗原材料、B-NPN型锗原材料、C-PNP型光伏材料、

如何测量光耦的好坏

光耦如何测优劣 伴随着光电耦合器的日渐平稳且广泛的状况下，销售市场上出現了许多、各种各样的光耦，因而仿冒牌的光耦也闪过出来，以便让众多的顾客能购到好的光耦，亿光地区代理超毅电子器件跟大伙儿解读一下如何检查光耦的优劣： 分辨光耦的优劣，可在路精确测量其內部二极管和三极管的正反面向电阻器来明确。更靠谱的检验方式是下列三种。 1、比较分析法拆下来猜疑不太好的光耦，用万用表测量其內部二极管、三极管的正反面向阻值，用其与好的光耦相匹配脚的精确测量值开展较为，若电阻值相距很大，则表明光耦损坏。 2、数字万

AC/DC电源模块:YS1505的详细介绍和数据表

产品种类: AC/DC电源模块 RoHS: 过渡期间 输出功率: 15 W 输入电压: 85 VAC to264VAC,110VDC to370VDC 输出端数量: 1 Output 输出电压—通道1: 5 VDC 输出电流—通道1: 3 A 长度: 0.6 in 宽度: 0.4 in 高度: 0.2 in 工业: Commercial 系列: Y 输入频率: 47 Hz to440Hz 绝缘电压: 2 kVAC 开放式框架/封闭式: Enclosed 工作温度范围: - 10 C to +

YB7000 带自动刷新功能的闪光灯电容充电器

YB7002充电式高压闪光灯 快速高效的电容器。设计 用于数码相机和胶卷相机，这些 设备使用反激拓扑来实现 效率比 竞争闪存模块。独一无二的高峰 感应器电流控制机构保持 限流式变压器运行 在整个充电周期中，消除 模块中经常出现高涌入电流。 YB7002输出电压传感方案 监测反激电压，直接调节 输出电压。此功能允许 电容器保持在完全充电状态 无过度功耗。 可调刷新时间完全由 带电阻的用户。完成的pin信号 引脚描述 designator销 引脚名称描述 1功率大到PGND地面系统，地面solid

LM358：二路通用运算放大器

这些器件由两个独立的、高增益频率补偿运算放大器组成，设计用于在宽电压范围内从单个电源或分裂电源操作。 产品特性 供应范围广 单电源：3V至32V （LM2904为26V） 双电源：±1.5V至±6V （LM2904为±13V） 单电源：3V至32V （LM2904为26V） 双电源：±1.5V至±6V （LM2904为±13V） 低电源电流漏，独立于电源 电压：典型为0.7毫安 宽单位增益带宽：0.7MHz 共模输入电压范围包括 接地，允许近地直接感应 低输入偏置和偏置参数 输入偏移电压：3m

FDG6323L：电源开关IC - 配电SC70-6 LD SW 2.5-8V

FDG6323L器件特别适用于需要2.5V至8V输入和0.6A输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。该负载开关集成了一个小型N沟道功率MOSFET（Q1），可在一个小型SC70-6封装中驱动大型P沟道功率MOSFET（Q2）。 特征 V DROP = 0.2V @ V IN = 5V，I L = 0.36A。[R （ON） =0.55Ω V DROP = 0.2V @ V IN = 2.5V，我大号 = 0.27A。R （ON） =0.75Ω 非常小的封装外形SC70-6 控制MOS

基美电子最新的热释电无源红外传感器介绍

基美电子（“KEMET”或“公司”），继续以其环境PIR传感器系列为工业应用加强提供解决方案。这些薄膜PZT传感器通过利用热释电效应，获得高灵敏度和快速响应时间，可针对工业自动化、照明和发配电等多种应用，确保对气体、火焰、运动、食品和有机化合物实现快速、准确的检测。 这些高质量的环境传感器采用混合微机电系统（MEMS）技术构建，并封装在小型表贴器件（SMD）之中，可满足便携式和电池供电式探测器的应用要求。它们具有低功耗、低维护，以及对机械和热冲击不敏感的优势，可实现稳定的性能，并且使用寿命长达

电容测试仪的工作原理及测量方法

相信我们生活和工作中肯定会用到电容器，大白话就是电池，当然并不能这么叫，有电容器，那肯定有测量电容的工具，下面我们就说说电容测量仪的工作原，希望对你有帮助。 电阻电容测试仪的工作原理？ 工作原理：全自动电容电感测试仪由于采用标准电容器，被试电容器同步采样技术，可不受电源电压波动的影响;加之测量过程是全自动进行的，避免了手动操作引起的误差，因此具有稳定性好，重复性好，准确可靠的特点。 仪器特点： ①。现场测量单个电容器需拆除连接线，不仅工作量大而且易损坏电容器。 ②。电容表输出电压低而导致故障检

六大技巧下手，正确挑选场效应晶体管

沟道类型 挑选好场效应晶体管电子元件的第一步是取决选用N沟道或是P沟道场效应晶体管。在典型的功率使用中，当一个场效应晶体管接地，而负载接入到干线电压上时，该场效应晶体管就组成了低压侧开关。在低压侧开关中，应选用N沟道场效应晶体管，它是出自于对关闭或导通电子元件所要电压的考虑。当场效应晶体管接入到总线及负载接地时，就需要用高压侧开关。一般会在这一拓扑中选用P沟道场效应晶体管，这又是出于对电压驱动的考虑。 2 额定电压 明确需用的额定电压，或是电子元件能够承载的最高电压。额定电压越大，电子元件的成

重磅！AMD刚刚宣布，同意以350亿美元收购赛灵思！

月初传出AMD正在就收购赛灵思（Xilinx）公司展开深入谈判有了新进展。 亿配芯城27日晚间获悉，AMD在当地时间的周二表示，已同意以350亿美元全股票交易并购赛灵思（Xilinx），交易将通过免税重组方式进行，预计将节省3亿美元的税费成本。消息发布后。赛灵思美股盘前涨超10%，AMD盘前跌近6%。 本月早些时候，就有并购消息流出，亿配芯城有做相关报道《重磅！AMD将收购赛灵思！对抗英特尔！最快下周达成...》 公开资料显示，Xilinx（赛灵思）是全球知名的FPGA解决方案的供应商，总部设

被动元件供给吃紧，三环集团领涨15%

据工商时报报道，被动元件产业涨价第一枪鸣起，由全球芯片电阻上游材料氧化铝陶瓷基板龙头陆商潮州三环集团领头涨价，涨幅15%起跳，台厂九豪有望跟进。目前芯片电阻供给已相当吃紧、价格蠢动，上游关键材料大涨，点燃国巨、华新科、大毅等芯片电阻制造商涨价火种，产业链将全面涨价。 三环开涨价第一枪 目前国巨、大毅等业者芯片电阻产能利用率都已经冲上八成甚至更高，仍无法满足客户需求。氧化铝陶瓷基板占芯片电阻的成本高达近三成，随着材料领头涨，芯片电阻厂在供给吃紧、成本上扬下，更有理由向客户提出涨价要求，预料涨幅也

刚刚！清华大学“集成电路学院”成立

清华大学集成电路学院正式成立 2021年4月22日，清华大学集成电路学院成立仪式在清华大学主楼举行。清华大学集成电路学院的成立，是清华大学面向国家重大战略需求，聚焦国家关键领域，推动清华大学集成电路学科发展，加快培养集成电路紧缺高层次人才的重要举措。 以下是详细新闻 4月22日，清华大学集成电路学院成立仪式在清华大学主楼举行。 清华大学集成电路学院官微截图 原清华大学微纳电子系官微名称记录显示，已于4月20日更名为清华大学集成电路学院。 清华大学微电子所成立于1980年，其前身是清华大学于19